清华大学材料科学与工程研究院《材料科学论坛》
学术报告
报告题目：室温单相多铁性材料探索与铁电材料拾遗
报告人：陈湘明教授（浙江大学）
报告时间：2019年3月25日（周一）上午9:00
报告地点：清华大学逸夫技术科学楼A205学术报告厅
联系人：李敬锋老师 62784845
报告摘要：
由于其丰富的物理内涵以及在自旋电子领域诱人的应用前景，磁电耦合多铁性材料正日益受到广泛关注。然而，由于铁电与铁磁性电子结构的互斥、两者共存(尤其在室温共存)的材料十分稀少。因此，磁电耦合多铁性材料的发展很长时间内主要仰仗铁磁铁电复合材料。而单相多铁性材料的发展一直面临着巨大挑战与重重困难。以BiFeO3为代表的第一类多铁性材料(磁电不同源)具有大极化强度与铁电/反铁磁相变温度均高于室温的优点，然而其可观测的磁电耦合效应十分微弱。与此相反，铁电极化源于特定自旋结构的第二类多铁性材料虽有很强的本征磁电耦合效应，其铁电极化却十分微弱、且临界温度远远低于室温。因此，单相多铁性材料发展的根本途径在于：1)有效改善BiFeO3-基陶瓷磁电耦合效应；2)大幅度提升第二类多铁性材料的临界温度与铁电极化; 3)探索第三条道路，发展全新的室温单相多铁性材料。那么，制约BiFeO3磁电耦合效应的关键因素究竟是什么？在BiFeO3-基陶瓷中可以有效实现电控磁性么？另一方面，既然欲将第二类多铁性材料的临界温度提升至室温附近仍然路途遥远，能否利用几何铁电性或杂化非本征铁电性、在临界温度高于室温的铁磁材料中通过晶格实现室温磁电耦合呢？针对上述关键课题，本报告将与君分享有关BiFeO3基固溶体、h-RFeO3以及充满型钨青铜铁电体的迷思、探索与期许……
报告人简介：
陈湘明，男，现任浙江大学材料科学与工程色播app
教授、浙江大学材料物理研究所所长。美国陶瓷学会会士(Fellow, The American Ceramic Society)、中国物理学会电介质专业委员会理事、亚洲电子陶瓷联盟理事、J. Am. Ceram. Soc.副编辑(Associate Editor)、Adv. Appl. Ceram.与J. Materiomics编委。长期从事铁电与介电材料的基础与应用研究，现主要研究方向为1)微波介质陶瓷、2)多铁性材料、3)铁电与驰豫铁电陶瓷、4)储能介质陶瓷。近年来共负责承担国家杰出青年科学基金、973计划、国家自然科学基金重点、863高技术计划与国家自然科学基金面上项目等国家项目16项。担任第3届微波材料及其应用国际会议(MMA-2004, JAPAN)共同主席、第4届亚洲电子陶瓷会议(AMEC-4, CHINA)执行主席、以及第5届微波材料及其应用国际会议(MMA-2008, CHINA)主席。同时、先后担任国际学术会议国际顾问委员或学术委员32人次，应邀在国际会议上做特邀报告60余次。已在Nature Commun.、Adv. Funct. Mater.、Chem. Mater.、Phys. Rev. B.、Appl. Phys. Lett.、J. Am. Ceram. Soc.、J. Eur. Ceram. Soc.等国际著名期刊上发表论文390余篇，获中国发明专利15项、美国发明专利1项，2007年度获电子陶瓷领域国际奖-Okazaki Kiyoshi Award。